| 型号： | 2SK3666-2-TB-E | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | IC JFET N-CH 30V 10MA CP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 |
| 2SK3666-2-TB-E PDF |  |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 600µA @ 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 漏极电流 (Id) - 最大 | 10mA |
| FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | - |
| 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 180mV @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4pF @ 10V |
| 电阻 - RDS（开） | 200 欧姆 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-CP |
| 功率 - 最大 | 200mW |